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J-GLOBAL ID：200903020444174940

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 八木下 淳史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005056276
Publication number (International publication number)：2006245127
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】ソース/ドレイン電極と半導体層とのショットキーバリアが低い電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供すること。【解決手段】基板10上に半導体性のカーボンナノチューブ12が形成されている。カーボンナノチューブ12側面に形成されたソース及びドレイン13が形成されている。前記ソース及びドレイン13は、カーボンナノチューブ12の側面に接触形成されたメタルカーバイト15と、前記メタルカーバイト上に形成されたメタル電極14とを具備する。ソースとドレインとの間の前記カーボンナノチューブ上に形成されたゲート絶縁膜16、ゲート電極17が積層されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体性のカーボンナノチューブと、 前記カーボンナノチューブ側面に形成されたソース及びドレインであって、前記カーボンナノチューブの側面に接触形成されたメタルカーバイトと、前記メタルカーバイト上に形成されたメタル電極とを具備する前記ソース及びドレインと、 前記ソースとドレインとの間の前記カーボンナノチューブ上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/417

FI (8)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618C

F-Term (49)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA07 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG60 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ30