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J-GLOBAL ID：200903020453256789

アモルフアスシリコン膜の形成方法

Inventor： 橘野 裕 ,  矢野 幸太郎 ,  田沢 昇一
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306340
Publication number (International publication number)：1993144741
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 液体原料への光照射による堆積方法により高品質なa-Si膜を形成させる。【構成】 液状の高次シランを基板上に塗布した後、不活性ガス雰囲気中で波長400nm以下の光を照射する。

Claim (excerpt)：

一般式Sin H2n+2(但し、nはn≧2の整数)であらわされる高次シランを用いて光分解により基板上にアモルファスシリコン膜を形成する方法において、液状の高次シランを基板上に塗布した後、不活性ガス雰囲気中で波長400nm以下の光を照射することにより分解して、該基板上にアモルファスシリコン膜を堆積させることを特徴とするアモルファスシリコン膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-042818
  
• 特開平2-251135