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J-GLOBAL ID：200903020457490670
化合物半導体ウエハ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256667
Publication number (International publication number)：1993102053
Application date： Oct. 03, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】結晶育成段階で半絶縁性とするのではなく、ウェハ段階で半絶縁性とすることによって、単結晶化率を高く、転位密度を少なくする。【構成】無添加でInP結晶をLEC法により成長する。この結晶からウェハを切り出す。このときのウェハは低抵抗である。表面を鏡面研磨したウェハを、Feを溶かした硝酸系溶液に浸漬した後、水洗し、スピンナにて乾燥する。このウェハを加熱処理して、結晶中にFeを熱拡散する。このウェハ及び、Feの拡散処理を施していないウェハ表面の抵抗は、Fe拡散処理を施していないウェハでは低くて半絶縁性とはならず、Fe拡散処理を施したウェハでは、溶液濃度1ppm以上で大幅に抵抗が高くなり半絶縁性となる。
Claim (excerpt)：
浅い準位の不純物を補償するために深い準位を形成する不純物をドープして半絶縁性とした化合物半導体ウェハにおいて、前記深い準位を形成する不純物を拡散によりドープする不純物の拡散層を有する化合物半導体ウェハ。
Patent cited by the Patent：
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