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J-GLOBAL ID：200903020465198431

イオン散乱表面分析装置

Inventor： 松井 都 ,  内田 史彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014218
Publication number (International publication number)：1995226181
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜成長時における半導体材料等の表面分析の方法で、特に表面に存在する原子及び電子の組成や構造を、あらゆる質量数の元素について、同時に観察可能とすることを目的とする。【構成】 パルス化された3keV以下のHe,Ne,Ar等の低エネルギイオン粒子ビームは、対物レンズ5によって収束された後に観察試料7に衝突する。衝突イオン粒子は、表面層の原子によって非弾性散乱され、このうち180度方向に散乱される衝突イオン粒子を検出する。また、衝突イオン粒子によって非弾性散乱された試料表面の粒子のうち、前方散乱された粒子を前述のイオン粒子と同時に検出する。粒子検出の際、イオン粒子はグリッド11によって加速されて、検出器9、及び検出器10で検出される。【効果】 表面に存在する原子の質量数によらず、その組成や位置を知ることができる。

Claim (excerpt)：

イオン粒子を被測定物表面に衝突させて、その表面から散乱された粒子を検出するイオン散乱分析装置において、入射イオンを被測定物表面の垂直方向より小さな角度で入射させ、表面原子によって散乱された入射粒子と、入射イオンによって散乱された表面上の軽元素粒子とを同時に検出することを特徴とするイオン散乱分析装置。

IPC (6)：

H01J 37/252 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/05 ,  H01J 37/244 ,  H01J 49/30 ,  H01J 49/40