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J-GLOBAL ID：200903020470100547

シリサイド膜およびその膜を使用した半導体装置

Inventor： 佐藤 道雄 ,  山野辺 尚 ,  河合 光雄 ,  小松 透 ,  志津 博美 ,  八木 典章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169236
Publication number (International publication number)：1996020863
Application date： May. 15, 1991
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】パーティクルの混入が少なく、均一で良質なシリサイド膜と、そのシリサイド膜を使用した高品質の半導体装置とを提供する。【構成】金属珪化物が連鎖状に結合して金属珪化物相1が形成され、この金属珪化物相1の間隙に珪素相2が不連続に存在する高密度かつ微細な混合組織を有し、炭素の含有量が100ppm以下であるスパッタリングターゲットを用いて形成したシリサイド膜である。また本発明の半導体装置は、上記シリサイド膜を電極または配線材料として使用して形成される。

Claim (excerpt)：

金属珪化物(化学量論組成がMSi2 、但しMは金属)が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪化物の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、炭素含有量が100ppm以下であるスパッタリングターゲットを用いて形成したことを特徴とするシリサイド膜。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/46 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-088767
  
• 特開平2-047261
  
• 特開昭64-039374
  
• 特開昭63-074967