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J-GLOBAL ID：200903020477909406

中性子発生装置

Inventor： 上田 孝寿
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997342581
Publication number (International publication number)：1999169470
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 円形のイオン強度分布の一様性が期待できない等の課題があった。【解決手段】 この発明に係る中性子発生装置は、イオン源1、1’、1”からのビームを所定の電界で加速し、同心状に配置された複数のRFQライナック8、8’、8”と、中性子を発生するターゲット14の一面に、複数のビームを円形に到達するように偏向するソレノイドコイル13とを備えた。【効果】 ターゲット面で円形断面のイオン分布を得ることができ、中性子発生源としては円柱型を得ることができ、さらに、中性子捕獲療法等に利用し易い中性子発生分布を得ることができる。

Claim (excerpt)：

イオン源からのビームを所定の電界で加速し、同心状に配置された複数のRFQライナックと、中性子を発生するターゲットの一面に、複数のビームを円形に到達するように偏向するソレノイドコイルとを備えたことを特徴とする中性子発生装置。

IPC (5)：

A61N 5/10 ,  G21K 5/02 ,  G21K 5/08 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

FI (5)：

A61N 5/10 D ,  G21K 5/02 N ,  G21K 5/08 N ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00