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J-GLOBAL ID：200903020486807454

レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法

Inventor： 島 基之 ,  杉本 健
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 岩見谷 周志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000098586
Publication number (International publication number)：2001281886
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】露光波長の限界を超える微細パターンの形成が可能なレジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】(a)ポジ型化学増幅レジストを用いて形成されたレジストパターン上に、水溶性樹脂を含有する酸性のレジストパターン縮小化材料を塗布して前記レジストパターン縮小化材料からなる酸性被膜を形成する段階;(b)前記レジストパターンの表面層をアルカリ可溶性に転換する段階;並びに(c)その後、こうして処理されたレジストパターンを酸性被膜と共にアルカリ性溶液で処理し、該被膜及び前記アルカリ可溶性に転換されたレジストパターン表面層を除去して、前記レジストパターンを縮小する段階を含む微細レジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

水溶性樹脂を含有し、酸性であるレジストパターン縮小化材料。

IPC (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 570

F-Term (29)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA33 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096HA11 ,  2H096JA04 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-062047   Applicant：三菱電機株式会社