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J-GLOBAL ID：200903020493262161
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353351
Publication number (International publication number)：1993167190
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、発振閾電流値を低くし、信頼性を高くする。【構成】 n型クラッド層2と、活性層3と、p型クラッド層4とが順次に積層されてなるダブルヘテロ構造を備え、活性層3とクラッド層2及び4との間に、活性層3からクラッド層2及び4に向かって、連続的にエネルギーギャップが大きくなっている30nm以下の厚さの層10及び11をそれぞれ備えている。この30nm以下の層10,11によって、活性層3からクラッド層2,4へのキャリアのオーバーフローを小さくし、クラッド層2,4中のドーパントの活性層3への固相拡散を抑える。
Claim (excerpt)：
少なくとも、第1伝導型クラッド層と、活性層と、第2伝導型クラッド層とが順次に積層されてなるダブルヘテロ構造を備え、前記活性層と少なくとも一方の前記クラッド層との間に、活性層からクラッド層に向かって、連続的にエネルギーギャップが大きくなっている30nm以下の厚さの層を備えていることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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