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J-GLOBAL ID：200903020493955256

AlGaInP系半導体レーザ素子

Inventor： 細田 昌宏 ,  高橋 向星 ,  松井 完益
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227377
Publication number (International publication number)：1993067836
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 AlGaInP系の可視光半導体レーザ素子において,屈折率導波構造および電流狭窄構造を1回の結晶成長工程で形成すると共に,素子特性を安定させ,信頼性を向上させる。【構成】 凹部となるストライプ状溝110を有するp型の基板100上に,AlGaInP混晶系からなる,p型の第1クラッド層101,活性層102,n型の第2クラッド層103,およびn型のコンタクト層105を含む積層構造が形成されている。第2クラッド層103とコンタクト層105との間には,クラッド層103より禁制帯幅の小さいp型の中間層104が形成されている。中間層104の層厚は,溝側面部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,溝底部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い。

Claim (excerpt)：

ストライプ状の凹部または凸部を有する第1導電型のGaAs基板上に,AlGaInP混晶系からなる第1導電型の第1クラッド層,活性層,第2導電型の第2クラッド層,および第2導電型のGaAsコンタクト層を含む積層構造が形成されたAlGaInP系半導体レーザ素子であって,第1導電型がp型の場合にはp-GaAs基板とp-AlGaInP第1クラッド層との間に第1クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,第1導電型がn型の場合にはp-AlGaInP第2クラッド層とp-GaAsコンタクト層との間に第2クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,その層厚が,凹部または凸部の段差斜面部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,それ以外の部分ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い,AlGaInP系半導体レーザ素子。