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J-GLOBAL ID：200903020496480356
エッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104848
Publication number (International publication number)：1994318564
Application date： May. 06, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 エッチング装置に関し,低ガス圧でも基板に供給される反応性ガス分子の量を低下させずに効率よく基板に到達できるようにすることを目的とする。【構成】 1)反応性ガスを基板上に導入する複数の細孔が開口されたプレートを含むガス導入部を有し,細孔は基板に対して略垂直に対向し,基板と細孔との距離が反応ガスの圧力で決まる平均自由行程と同程度または以下である,2)細孔の開口領域が基板と同じ大きさあるいはそれ以上である,3)細孔の口径はプレートの厚さ方向に均一で且つプレートの厚さの1/5以下である,4)細孔は,細孔から噴出したガスの発散角度内に含まれる基板の領域の口径以内のピッチで配列されている,5)ガス導入部を加熱する手段を有する,6)基板側のガス圧がガス導入部側のガス圧より1桁以上低くなるように,プレートを含めて排気系のコンダクタンスが調節されているように構成する。
Claim (excerpt)：
反応性ガスを被エッチング基板上に導入する複数の細孔が開口されたプレートを含むガス導入部と,該被エッチング基板上に該反応性ガスのプラズマを発生させる手段と,該反応性ガスを排気する手段とを有し,該細孔は該被エッチング基板に対して略垂直に対向し,該被エッチング基板と該細孔との距離がエッチング時の該反応ガスの圧力で決まる平均自由行程と同程度または以下であることを特徴とするエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
