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J-GLOBAL ID：200903020511601351

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小川 周一郎 ,  林 善夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997068067
Publication number (International publication number)：1998261796
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 少数または単一の電子をポテンシャル井戸に閉じ込める微結晶を有する半導体装置において、真空プロセスを利用せず簡便に作成され、消去時間の改善された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体基板上の一部のトンネル酸化膜直上に少数または単一の電子をポテンシャル井戸に閉じ込める金属微結晶と、該金属微結晶上に絶縁膜を有する半導体装置、および、半導体基板上の一部のトンネル酸化膜直上に少数または単一の電子をポテンシャル井戸に閉じ込める金属微結晶と、該金属微結晶上の絶縁膜を同時に塗布し、加熱して形成する半導体装置の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の一部のトンネル酸化膜直上に少数または単一の電子をポテンシャル井戸に閉じ込める金属微結晶と、該金属微結晶上に絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (4)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66