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J-GLOBAL ID：200903020512032695
ショットキーダイオード及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017811
Publication number (International publication number)：1995211924
Application date： Jan. 17, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】ショットキーダイオードにおいて耐圧の向上と製造の容易化。【構成】半導体2上にショットキー障壁を形成するショットキー金属6とその周囲に絶縁膜4を設けてなるショットキーダイオードにおいて、ショットキー金属6と絶縁膜4の間に空隙7が形成され、その空隙7及び空隙7の下部に形成された溝8に絶縁物90が充填されている。製法は、ショットキー金属6と絶縁膜4の間に空隙7を絶縁膜4のサイドエッチングで形成し、ショットキー金属6と絶縁膜4とをマスクとして空隙7を通して、その空隙7の下部の半導体2に溝8を形成し、溝8及び空隙7に絶縁物90を充填する。
Claim (excerpt)：
半導体上にショットキー障壁を形成するショットキー金属とその周囲に絶縁膜を設けてなるショットキーダイオードにおいて、該ショットキー金属と絶縁膜の間に空隙が形成され、その空隙及び空隙の下部に形成された溝に絶縁物が充填されていることを特徴とするショットキーダイオード。
FI (4)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
, H01L 29/48 E
, H01L 29/48 H
