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J-GLOBAL ID：200903020514765002
電力変換器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
笹岡 茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994335839
Publication number (International publication number)：1996182342
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 すべて同一の損失特性を持つ素子を使用した電力変換器と同等の容量・機能を有し、かつ、変換器全体の発生損失を低減するに好適な電力変換器を提供することにある。【構成】 低オン損失素子GTO3、GTO4と低スイッチング損失素子IGBT5〜IGBT8のように、相単位で損失特性の異なる素子を使用し、GTOで構成されたx相は2レベル出力構成、IGBTで構成されたy相は3レベル出力構成とし、各相の出力レベル数を変えて変換器を構成する。低オン損失素子は、出力電圧基準波に基づいた長周期信号でスイッチングし、低スイッチング損失素子は、PWM制御により高速にスイッチング動作させる。【効果】 これにより各相の素子損失を低減し、各相の耐圧を揃えることができるため、素子耐圧を無駄なく用い、また、PWM制御により低オン損失素子で構成された相による変換器出力波形の歪みを補正することができる。
Claim (excerpt)：
自己消弧形素子を用いてパルス幅変調制御により交流を直流に、または、この逆の変換を行う電力変換器において、ある相はオン損失がスイッチング損失よりも小さい素子(以下、低オン損失素子という。)を用いた2レベル出力構成とし、他の相はスイッチング損失がオン損失よりも小さい素子(以下、低スイッチング損失素子という。)を用いた3レベル出力構成としたことを特徴とする電力変換器。
IPC (3)：
H02M 7/48
, H02M 7/155
, H02M 7/5387
