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J-GLOBAL ID：200903020534948774
金属偏光子及び半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288831
Publication number (International publication number)：1993129728
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、半導体レーザとモノリシック集積が可能な金属偏光子、及びその金属偏光子を用いて戻り光による雑音を低減し、小型軽量化を可能にする半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】ブダルヘテロ構造の半導体レーザ40と導波路型金属偏光子21と導波路型位相子60が、同一のn-GaAs基板22上に、光結合されて形成されている。半導体レーザ40と導波路型金属偏光子21とが向かい合う端面にそれぞれ低反射コート41、42が設けられ、他方の端面にそれぞれ高反射コート43、44が設けら、これら高反射コート43、44によりファブリペロー共振器が形成されている。導波路型金属偏光子21は、n-GaAs基板22上に、誘電体膜11と金属膜12とが交互に積層された積層部13を有し、この積層部13の上面及び両側面にクラッド層16が形成されている。
Claim (excerpt)：
金属薄膜と所定の波長の光に透明な誘電体薄膜とが交互に積層され、積層方向と垂直方向に入射された光に対して、前記積層方向と平行な電界の光を吸収し、前記積層方向と垂直な電界の光を透過する積層部と、前記積層部を挟んで設けられ、前記積層部よりも実効屈折率が小さいクラッド部とを有し、前記クラッド部に挟まれた前記積層部が、光導波路構造をなしていることを特徴とする金属偏光子。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G02B 5/30
, G02F 1/225
