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J-GLOBAL ID:200903020545389033

光サージ抑圧回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 史旺
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996113945
Publication number (International publication number):1997297286
Application date: May. 08, 1996
Publication date: Nov. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 簡単かつ安価な構成で光サージ等を吸収・抑圧する。【解決手段】 入射光の光子1個あたりのエネルギーをEinとし、半導体素子のバンドギャップエネルギーをEg としたときに、0.8 <Ein/Eg < 1.1となるような半導体素子に光サージを入射して抑圧する。
Claim (excerpt):
入射光の光子1個あたりのエネルギーをEinとし、半導体素子のバンドギャップエネルギーをEg としたときに0.8 <Ein/Eg < 1.1を満たす半導体素子と、入射信号光を前記半導体素子に導く入射側集光手段と、前記半導体素子を透過した光を出射信号光として取り出す出射側集光手段とを備えたことを特徴とする光サージ抑圧回路。
IPC (2):
G02F 1/015 505 ,  G02F 1/025
FI (2):
G02F 1/015 505 ,  G02F 1/025
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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