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J-GLOBAL ID：200903020548004337

プラズマ処理装置

Inventor： 仲上 慎二 ,  長阪 道雄
Applicant, Patent owner： 株式会社プラズマシステム
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994146812
Publication number (International publication number)：1996017799
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高速処理の利点を維持しながらプラズマによる半導体基板の帯電を極力抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 半球状の反応室8と、反応室8内の下部に設けられ、半導体基板Wを保持する基板ホルダー14と、反応室8の外周に沿い巻線状に設置され、反応室8内にプラズマおよびその活性種を発生させるためのヘリカルアンテナコイル13と、ヘリカルアンテナコイル13に高周波電力を印加するための高周波電源16と、基板ホルダー14と接地5間に接続された挿入インピーダンス6とが具備されている。

Claim (excerpt)：

誘電体からなる半球状の反応室と、該反応室内の下部に設けられ、半導体基板を保持する基板ホルダーと、前記反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置され、反応室内にプラズマおよびその活性種を発生させるためのヘリカルアンテナコイルと、該ヘリカルアンテナコイルに高周波電力を印加するための高周波電源と、一端が前記基板ホルダーに接続されるとともに、他端が接地されたインピーダンス素子と、が具備されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/04

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A