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J-GLOBAL ID：200903020556139853
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998234296
Publication number (International publication number)：1999121375
Application date： Aug. 31, 1989
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 紫外光の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板などの基板1上に多結晶Si薄膜4を形成し、その上に反射防止膜としてSiO2 膜5を形成した後、このSiO2 膜5を介して多結晶Si薄膜4にエキシマーレーザーなどによる紫外域のパルスレーザービーム6を照射して多結晶Si薄膜4を熱処理する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成する工程と、上記多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を低減する反射防止膜を形成する工程と、上記反射防止膜を介して上記多結晶半導体薄膜に紫外光を照射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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