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J-GLOBAL ID：200903020563816275

圧電セラミックス厚膜構造

Inventor： 秋山 善一 ,  明渡 純
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  経済産業省産業技術総合研究所長
Agent (2)： 高野 明近 (外2名) ,  高野 明近 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999336242
Publication number (International publication number)：2001152361
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ガスデポジション法成膜圧電セラミックス厚膜構造において、特に、基板ダメージを低減させ、圧電セラミックス厚膜/基板からなる積層体構造の機械的強度の低下を防ぐ。【解決手段】 PZT圧電セラミックス微粒子3をキャリアガス中に浮遊させてエアロゾル化し、このエアロゾルをノズル5より高速で基板上に噴射して膜形成する。高速に加速された粒子が基板に衝突することにより、その粒子の持つ運動エネルギーが膜堆積現象を引き起こす。衝突による基板ダメージは、特に、脆性破壊にて破壊するセラミックス、ガラス、Siウェハや各種酸化物結晶材料に顕著に現れる。特に、アクチュエータのような機械的要素への応用を考えた場合、機械的強度の低下は素子信頼性の観点から重要になる。粉体衝突ダメージを基板に与えないために、基板上に中間膜を配置した後、ガスデポジション成膜を行う。

Claim (excerpt)：

圧電セラミックス微粒子をガス中に浮遊させエアロゾル化し、このエアロゾルを高速で基板上に噴射して堆積させるガスデポジションによる圧電セラミックス厚膜構造において、前記基板とガスデポジション堆積膜の間に、1層以上からなる中間膜を有することを特徴とする圧電セラミックス厚膜構造。

IPC (3)：

C23C 26/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/09

FI (3)：

C23C 26/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/08 C

F-Term (24)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA21 ,  4K030BA42 ,  4K030BA50 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K044AA02 ,  4K044AA11 ,  4K044AA12 ,  4K044AA13 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• インクジェット記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041481   Applicant：富士電機株式会社
• 強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-231353   Applicant：シャープ株式会社
• 圧電アクチュエータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-130246   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社