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J-GLOBAL ID：200903020567310414

III-V族化合物半導体の加工方法及びIII-V族化合物半導体レーザの作製方法

Inventor： 小倉 睦郎 ,  岡本 恭典 ,  井川 聖史
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  株式会社クボタ
Agent (2)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997044418
Publication number (International publication number)：1998242582
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Al組成が含まれているIII-V族化合物半導体にあっても垂直な端面を形成する。【解決手段】 主面を有するIII-V族化合物半導体の出発構造体20の上に、平面的に見て最終的に切り出すべき構造体である半導体レーザ40の平面形状に整合し、垂直な端面43を形成すべき位置に沿って [0-1-1]方向に直交する縁を有するエッチングマスク層30を形成した後、塩化アルキルガスをエッチングガスとして出発構造体20の気相エッチングを行う。

Claim (excerpt)：

主面を有するIII-V族化合物半導体の該主面に対し垂直な端面を持つことを要する構造体を作製するに際し、当該垂直な端面を形成するために該III-V族化合物半導体を加工する方法であって;平面的に見て上記構造体の平面形状に整合する形状を有し、上記垂直な端面を形成すべき位置に沿って [0-1-1]方向に直交する縁を有するエッチングマスク層を上記III-V族化合物半導体上に形成した後;塩化アルキルガスをエッチングガスとして気相エッチングを行うこと;を特徴とするIII-V族化合物半導体の加工方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/302 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-044869   Applicant：三菱電機株式会社
• 光変調器/半導体レーザ集積化光源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224353   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザ装置及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-201690   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭47-042541