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J-GLOBAL ID：200903020571504061

薄膜半導体装置

Inventor： 宮本 育昌 ,  櫻井 淳
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 山田 正紀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995180277
Publication number (International publication number)：1997036340
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】製造コストが低く、且つ、性能の優れた薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁性基板1上に形成された、受光層8が上下一対の電極6,9で挟まれて成る受光素子110と、受光素子110を環状に取り巻くゲート電極5、及びゲート電極5の下部に形成された半導体膜16aを有する能動素子120とを備え、半導体膜16aが、ゲート電極5をマスクとして不純物が拡散された、ゲート電極5より内側の、下部電極6と接する第1の不純物拡散層3a、及びゲート電極5より外側の、第2の不純物拡散層3bと、ゲート電極5により不純物の拡散を免れた、ゲート電極5直下の動作層2とを有する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された、受光層が上下一対の電極で挟まれて成る受光素子と、該受光素子を環状に取り巻くゲート電極、及び該ゲート電極の下部に形成された半導体膜を有する能動素子とを備え、該半導体膜が、前記ゲート電極をマスクとして不純物が拡散された、前記ゲート電極より内側の、前記一対の電極のうちの下部電極と接する第1の不純物拡散層、及び前記ゲート電極より外側の、前記受光素子を取り巻く第2の不純物拡散層と、前記ゲート電極により不純物の拡散を免れた、該ゲート電極直下の動作層とを有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/146 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10

FI (7)：

H01L 27/14 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G