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J-GLOBAL ID：200903020579018301
空間光変調素子及びその製造方法並びに投写型表示装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993058474
Publication number (International publication number)：1994273793
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 遮光能力が高く反射能力の優れた空間光変調素子及びその製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に透明導電性電極2を形成する。p/i/nダイオード構成のアモルファスシリコン受光層を積層し、光導電層6を形成する。光導電層6上にクロムを成膜し、画素分離電極7をパターン形成し、画素分離電極7をエッチングマスクとして等方的なエッチングを施し、光導電層6の一部を除去する。基板全面にアルミニウムを成膜し、画素分離電極7の上に金属反射膜8を、画素間の窪みの低部に出力遮光膜9をそれぞれ形成する。基板全面にカーボン含有の高分子を塗布し、リアクチブイオンエッチング法によって全面エッチバックし、画素分離電極7の軒形状の下部に絶縁層10を形成する。この基板と他方の基板の上に配向膜12を積層し、両基板間に強誘電性液晶層11を形成する。
Claim (excerpt)：
整流性を有する光導電層と、強誘電性液晶層と、これらの層の間の同一平面内に設けられ、かつ微小形状に分割された第一の金属反射膜と、この平面とは異なる平面内に設けられ、前記第一の金属反射膜の間に位置する第二の金属反射膜とを少なくとも備えた空間光変調素子であって、前記第一の金属反射膜と前記第二の金属反射膜との間の一部に絶縁層が存在することを特徴とする空間光変調素子。
IPC (4)：
G02F 1/135
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1335 520
, G02F 3/00
