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J-GLOBAL ID：200903020586736872

TABリード型半導体装置

Inventor： 南部 哲司
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 江原 省吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991316721
Publication number (International publication number)：1993152374
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高い放熱効果を備えるTABリード型半導体装置を提供する。【構成】 半導体ペレット(4)の周縁部に一定ピッチ(p)で多数設けたバンプ電極(5)と、半導体ペレット(4)の周囲に延びる多数のリード(6)とを熱圧着するに際し、少なくとも一本のリード(6a)をバンプ電極(5)のピッチ(p)より幅広に形成しておく。

Claim (excerpt)：

半導体ペレット上に形成したバンプ電極にリードを熱圧着してなるTABリード型半導体装置において、上記リードの少なくとも1本を、バンプ電極のピッチより幅広に形成したことを特徴とするTABリード型半導体装置。