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J-GLOBAL ID:200903020593696592

化合物半導体結晶ウエハ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 泉名 謙治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993201201
Publication number (International publication number):1995037767
Application date: Jul. 21, 1993
Publication date: Feb. 07, 1995
Summary:
【要約】【目的】ボート法による<100>方向成長技術が有していたウエハへき開の困難性及びウエハ表裏判別の困難性を解消する。【構成】断面が大部分楕円形状の結晶のL/Hは0.9で、この結晶から(100)ウエハを切り出した。θが35 ゚でフリー面11に水平にへき開を行い、ウエハの種結晶側から見てフリー面11を上側にし、右側にθが35 ゚の点を起点としてフリー面11に対し垂直方向にへき開を行った。
Claim (excerpt):
ボートの長手方向に平行な結晶成長方向が結晶の略<100>方向で、鉛直方向が略<110>方向であるボート法により製造された閃亜鉛鉱型化合物半導体結晶を、前記結晶成長方向にほぼ垂直に切り出すことによって製造される略円形状の化合物半導体結晶ウエハであって、前記ウエハのへき開開始点でのウエハの略円周部の接線とへき開線とのなす角度θが35 ゚以上90 ゚以下とされていることを特徴とする化合物半導体結晶ウエハ。
IPC (3):
H01L 21/02 ,  C30B 11/14 ,  C30B 29/40 501

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