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J-GLOBAL ID：200903020596298156

発光半導体素子

Inventor： 市原 淳
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996161877
Publication number (International publication number)：1998012921
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 少ない消費電力で大きな輝度を得ることが可能な、光の取り出し効率が良好となる発光半導体素子を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、基板と、この基板上にP型とN型の半導体層に挟まれるように形成された発光層と、前記半導体層上に形成された第1導電層と、この第1導電層上に形成された略透明の第2導電層と、この第2導電層上に形成された電極層と、を備えた発光半導体素子を提供する。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上にP型とN型の半導体層に挟まれるように形成された発光層と、前記半導体層上に形成された第1導電層と、この第1導電層上に形成された略透明の第2導電層と、この第2導電層上に形成された電極層と、を備えた発光半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284074   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-292716   Applicant：日本ビクター株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234684   Applicant：日亜化学工業株式会社