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J-GLOBAL ID：200903020600268577

シリコーンウェハの表面上での金属汚染を減少させる方法および変性クリーニング溶液

Inventor： ペーター シュルツ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078987
Publication number (International publication number)：1998275795
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの二次加工の間にシリコーンウェハの表面上での金属汚染を実質的に減少させるために、“RCAクリーン”として公知であるクリーニング過程を改善する。【解決手段】 予め定められた濃度の錯形成剤を”RCAクリーン”の”SC1”クリーニング工程で使用するために備えられた(NH4OH+H2O2+O3)の化学的溶液に添加し、溶液中で結合された金属錯体を維持するために変性”SC1”クリーニング溶液が準備され、実質的にシリコーンウェハの表面上に金属が保持されないようにし;この変性溶液を容器中に保持し;かつ前記シリコーンウェハを改善された”SC1”工程の間、予め定められた時間で前記変性溶液中に沈下させる。

Claim (excerpt)：

シリコーンウェハからなる半導体デバイスの二次加工の際にシリコーンウェハ上で実施される”RCAクリーン”クリーニング過程の間にシリコーンウェハの表面上での金属汚染を減少させる方法において、予め定められた濃度の錯形成剤を”RCAクリーン”の”SC1”クリーニング工程で使用するために備えられた(NH4OH+H2O2+O3)の化学的溶液に添加し、この場合には、溶液中で結合された金属錯体を維持するために変性”SC1”クリーニング溶液が準備され、実質的にシリコーンウェハの表面上に金属が保持されないようにし;この変性”SC1”クリーニング溶液を容器中に保持し;かつ前記シリコーンウェハを改善された”RCAクリーン”の”SC1”工程の間、予め定められた時間で変性”SC1”クリーニング溶液中に沈下させることを特徴とする、シリコーンウェハの表面上での金属汚染を減少させる方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647

FI (2)：

H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 647 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-159663   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト