電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005171321
Publication number (International publication number)：2006041487
Application date： Jun. 10, 2005
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】オン電流が増大し、オン・オフ比が大きくなり、かつ、ソース電極とドレイン電極との間でショートが発生しにくい電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極14、ドレイン電極16、ゲート電極12、及び有機物を含有する半導体15を備えた電界効果トランジスタであって、半導体15が第1の導電率を有する第1の層151と、第2の導電率を有する第2の層152とを含み、第1の層151がソース電極14及びドレイン電極16から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、前記第1の導電率が、前記第2の導電率より高い電界効果トランジスタとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタであって、前記半導体は、第1の導電率を有する第1の層と、第2の導電率を有する第2の層とを含み、前記第1の層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、前記第1の導電率は、前記第2の導電率より高いことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 618F , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28

F-Term (42)：

5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA14 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
有機トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402664 Applicant：株式会社東芝

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