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J-GLOBAL ID：200903020626420660

半導体装置及び赤外線検出素子

Inventor： 中邑 卓郎 ,  友成 恵昭
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994288297
Publication number (International publication number)：1996148727
Application date： Nov. 22, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜抵抗素子形成工程の削減を図る。【構成】 第1抵抗層25aを、第1抵抗層25aの材料より抵抗率の低い材料で構成された低抵抗率層25b,25cで挟んだ積層抵抗体25を、下部電極26と上部電極27で上下から挟んだ構造を備えた薄膜サーミスタ24と、積層抵抗体25と層構造が同じ積層抵抗体32の最下層である低抵抗率層32bに下部電極33,34を接続した構造を備えた薄膜サーミスタ31とを基板22上に形成した。【効果】 薄膜サーミスタ24と薄膜サーミスタ31の抵抗体部分(積層抵抗体25と積層抵抗体32)を同時に形成することができる。

Claim (excerpt)：

第1抵抗層を備えると共に、最上層または最下層として、前記第1抵抗層の材料より抵抗率の低い材料で構成された低抵抗率層を備えた積層抵抗体を、基板上に複数形成した半導体装置であって、前記積層抵抗体に前記積層抵抗体を上下から挟む一対の電極を接続した第1種抵抗素子と、前記積層抵抗の前記低抵抗率層に接触する一対の電極を接続した第2種抵抗素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 37/00 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/20 ,  G01K 7/22 ,  H01C 1/142 ,  H01C 7/04