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J-GLOBAL ID：200903020634520429

半導体装置の絶縁膜形成方法

Inventor： 栗原 久明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995132917
Publication number (International publication number)：1996306686
Application date： May. 02, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構成で効率よく含有水分量が少なく耐吸湿性および耐透水性に優れた半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 プラズマ処理装置のチャンバ内でTEOSガスを反応ガスとしてウエハ上にプラズマ酸化膜を形成し、同じチャンバ内でTEOSガスをパージした後、窒素ガスを反応ガスとしてプラズマ処理を行って上記酸化膜上に窒化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理装置のチャンバ内でTEOSガスを反応ガスとしてウエハ上にプラズマ酸化膜を形成し、同じチャンバ内でTEOSガスをパージした後、窒素ガスを反応ガスとしてプラズマ処理を行って上記酸化膜上に窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P