Pat
J-GLOBAL ID：200903020638876961
フェライト積層薄膜及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995141997
Publication number (International publication number)：1996335514
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 100MHz以上の高周波領域において優れた軟磁気特性を示すフェライト積層薄膜を実現する。【構成】 排気手段を有する反応チャンバー1内に原料ガスを導入し、反応チャンバー1内に設けた基板ホルダー3と電極5との間に電力を供給して原料ガスをプラズマ化し、基板ホルダー3に保持した温度300°Cの下地基板4の上にフェライト積層薄膜を形成する。まず、鉄(Fe)のβ-ジケトン錯体ガス、コバルト(Co)のβ-ジケトン錯体ガス、キャリアガス及び酸素ガスからなる原料ガスを反応チャンバー1内に導入してCoフェライト層を形成する。次いで、鉄(Fe)のβ-ジケトン錯体ガス、ニッケル(Ni)のβ-ジケトン錯体ガス、亜鉛(Zn)のβ-ジケトン錯体ガス、キャリアガス及び酸素ガスからなる原料ガスを反応チャンバー1内に導入してNi-Znフェライト層を形成する。以上の2工程を交互に行う。
Claim (excerpt)：
スピネル型の結晶構造を有する垂直磁気異方性フェライト層と軟磁性フェライト層とが交互に積層された構造を備えたフェライト積層薄膜。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
