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J-GLOBAL ID：200903020644963299

微細レジストパターンの形成方法

Inventor： 塙 哲郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995018912
Publication number (International publication number)：1996211620
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストを用いて、微細レジストパターンを矩形性よく、かつ寸法制御性よく形成する方法を提供すること。【構成】 半導体基板2の上に、化学増幅型レジスト膜8と半導体基板2とを隔離するための、水溶性材料で形成されたバリア層7を形成する。バリア層7を介在させて、半導体基板2の上に化学増幅型レジスト膜8を形成する。化学増幅型レジスト膜8を選択的に露光し、潜在画像を形成する。化学増幅型レジスト膜8を現像し、微細レジストパターン100を形成する。

Claim (excerpt)：

化学増幅型レジスト膜を半導体基板の上に形成し、これをパターニングすることにより微細レジストパターンを形成する方法であって、前記半導体基板の上に、前記化学増幅型レジスト膜と前記半導体基板とを隔離するための、水溶性材料で形成されたバリア層を形成する工程と、前記バリア層を介在させて、前記半導体基板の上に前記化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を選択的に露光し、潜在画像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を現像し、微細レジストパターンを形成する工程と、を備えた微細レジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027