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J-GLOBAL ID：200903020656389270

低損失導電性パタ-ンおよびその製造方法

Inventor： ヴィクトル・コルディオフ ,  ルド・デフェルム
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058674
Publication number (International publication number)：2000058712
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低損失導電性パターンおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明において、例えばらせん形のインダクタまたは相互接続ラインのような低損失の導電性パターンと、導電性パターンのような製造方法が開示される。所定の周波数領域において損失のある基板上の、例えば相互接続ラインおよびらせん形のインダクタのような導電性パターンに関する主なパラメーターに周波数が強く(共鳴さえも)依存する問題を克服するために、半透明遮蔽層と、前記層に実質的に0電位をかけるための電気的接点とが、前記損失のある基板上または基板に挿入される。

Claim (excerpt)：

所定の周波数領域における導電性パターンの電磁気信号に関する周波数特性の分散を減らすための素子であって、導電性パターンと、半導体材料の損失のある基板とを含み、前記導電性パターンが前記基板上に形成され、前記導電性パターンと前記基板との間の少なくとも1つの絶縁層と、所定の厚さの導電層と、前記導電層に実質的に0電位をかけるために電気的接点とを含み、ここで前記所定の周波数領域において、前記導電層が前記電磁気信号によって生じる電場を遮蔽し、前記電磁気信号によって生じる磁場に対して透明であるように前記導電層の前記所定の厚さが定められている素子。

IPC (4)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 23/12 B ,  H01L 23/12 301 L ,  H01L 27/04 L