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J-GLOBAL ID：200903020658551430
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000219899
Publication number (International publication number)：2001094151
Application date： Jul. 19, 2000
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層上にInGaN層、InGaNAs層またはInGaNP層を含む量子井戸発光層を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、発光強度の初期劣化を改善して安定した寿命特性を得る。【解決手段】 n型GaN層を成長後、発光層を成長する工程113の前に、III族原料ガスを供給せずにSi源ガスを供給する工程109およびSi源ガスの供給を停止する工程を設ける。発光層のIn組成のばらつきが均一化され、組成の面内分布も均一化される。
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体層の上にIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)層、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N<SB>j</SB>As<SB>1-j</SB>(0<x<1、0<j<1)層またはIn<SB>x</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-x</SB>N<SB>k</SB>P<SB>1-k</SB>(0<x<1、0<k<1)層を含む量子井戸発光層を有する窒化物系化合物半導体発光素子を製造する方法であって、該窒化物系化合物半導体層の成長後、該発光層を成長する前に、III族原料ガスを供給せずにSi源ガスを供給する期間を設けた窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
