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J-GLOBAL ID：200903020677988882

赤外線検出器

Inventor： 米田 喜和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278687
Publication number (International publication number)：1994132558
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Si基板表面の不純物層および結晶欠陥による影響を受けない、GeSiとSiとのヘテロ接合型赤外線検出器を提供する。【構成】 P型Si基板2と、P型Si基板2上に形成され1018cm-3以下のP型不純物濃度を有するSiバッファ層21と、Siバッファ層21上に形成されるGeSi層1とからなる。【効果】 均一なバリアハイトと結晶性のよいGeSi層とを有する赤外線検出器が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、かつ、1018cm-3以下の、前記半導体基板の導電型と同じ導電型の不純物濃度を有するSiバッファ層と、前記Siバッファ層上に形成されるGeSi層とからなる赤外線検出器。