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J-GLOBAL ID：200903020683799633

分布帰還型半導体レーザ

Inventor： 小路 元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991240030
Publication number (International publication number)：1993082888
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】軸方向ホールバーニングを利用する分布帰還型半導体レーザに関し、活性層の結晶の劣化を抑制して等価的位相シフトの発生を防止し、単一波長性を保持することことを目的とする。【構成】活性層4の厚み方向の一方に存在し、共振器軸に沿って共振器の全長に形成された第一の回折格子2と、前記活性層4の厚み方向の他方の中央領域に存在し、前記共振器軸に沿って前記第一の回折格子2と逆相に形成された第二の回折格子6を含み構成する。

Claim (excerpt)：

活性層(4)の厚み方向の一方に存在し、共振器軸に沿って共振器の全長に形成された第一の回折格子(2)と、前記活性層(4)の厚み方向の他方の中央領域に存在し、前記共振器軸に沿って前記第一の回折格子(2)と逆相に形成された第二の回折格子(6)とを有することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。