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J-GLOBAL ID：200903020698826017
処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993347436
Publication number (International publication number)：1995183281
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ウェハ温度の面内均一を高めるための温調システムを提供する。【構成】 冷却ジャケット8からウェハWに達する伝熱経路に配置される温調用ヒータ22の発熱体24の配置パターンを周辺よりも中心を粗にすることにより、中心部の過熱を防止し、発熱面均熱性を達成し、発熱体自体の破壊を防止できる。またサセプタ7の周辺部と中心部との温度差を検出することにより、温調用ヒータの発熱面の均熱性の崩れを検出し、ヒータ出力を調整することにより、発熱面均熱性を達成し、発熱体自体の破壊を防止できる。また発熱体の破壊は、圧力の上昇を検出することにより判定できるので、発熱体の破壊が処理装置全体に及ぶのを未然に防止できる。
Claim (excerpt)：
上部に被処理体を吸着保持するチャック部を有するとともに下部に前記被処理体を冷却する冷却手段を有する載置台を処理容器内に収容してなる処理装置において、前記チャック部と前記冷却手段との間に前記冷却手段より前記被処理体へ伝熱する冷熱を調節するための温調用ヒータを配置し、その温調用ヒータを絶縁体に発熱体を所定のパターンを描くように配置することにより構成し、さらにそのパターンを周辺部より中心部を粗に構成したことを特徴とする、処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
