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J-GLOBAL ID：200903020711736669

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 西田 彰志 ,  佐藤 信彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992217168
Publication number (International publication number)：1994045622
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、良好な特性を有し且つ安価な太陽電池とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の太陽電池は、第一の導電型の結晶シリコン上に光入射層となる第二の導電型の多孔質シリコンが積層されていることを特徴とする。また、第1の結晶シリコンまたは金属基板上に多孔質シリコン、更にその上に第2の結晶シリコンが積層されていることを特徴とする。本発明の製造方法は、第一の結晶シリコンの片側表面に陽極化成により多孔質層を形成する工程と、多孔質層上に第二の結晶シリコンを形成する工程(あるいは多孔質層を分離し、金属基板に固着した後第二の結晶シリコンを形成する工程)と、第二の結晶シリコンの表面に半導体接合を形成する工程と、からなることをを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第一の導電型の結晶シリコン上に光入射層となる第二の導電型の多孔質シリコンが積層されていることを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-083339
  
• 特開平3-042818
  
• 多孔質シリコン太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-345710   Applicant：住友電気工業株式会社