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J-GLOBAL ID：200903020717855589

光気相反応方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  林 茂則
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991262785
Publication number (International publication number)：1994097158
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 LSI等の配線を埋め込む為の層間絶縁膜を形成する方法を提供する。該層間絶縁膜はステップカバレッジの良さと配線による段差の平坦化が要求されている。また、より低温での成膜も望まれえている。これらの要求を満足する成膜技術を提供する。【構成】 前記目的を達成する為に原料ガスとしてTEOS及び酸素もしくは酸化窒素ガスを用い、該ガスを光のエネルギーを用いて光化学反応せしめ、被膜を形成した。

Claim (excerpt)：

反応室内に反応性気体および必要に応じて緩衝気体を導入すると共に光を照射して、光化学反応により、前記反応性気体を分解または活性化して基板上に被膜を形成する光気相反応方法において、前記反応性気体としてテトラエチルオルソシリケート(TEOS)と酸素(O2 )を用いることを特徴とする光気相反応方法

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-063020
  
• 特開昭60-249334
  
• 特開昭63-105970
  
• 特開昭64-028925