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J-GLOBAL ID:200903020719804426
半導体装置の検査装置と検査方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999185111
Publication number (International publication number):2001015564
Application date: Jun. 30, 1999
Publication date: Jan. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】実欠陥中の致命欠陥のみを検出し、製品の歩留まりを予測することを可能にする。【解決手段】欠陥検査装置によって、製造途中のウエハ内の欠陥を検出する。この欠陥を含む画像をドット化して欠陥の特徴を検出する。この欠陥特徴において同じパターンが繰り返し形成される領域は重ね合わせ、欠陥のドットマップを作製する。また、完成したウエハの欠陥から製品特性の良否を測定し、フェイルマップを作製する。その後、ドットマップとフェイルマップを用いて、ウエハの製品特性の良否を調査し、欠陥の予測するニューラルネットワークモデルを構築する。このモデル等により、製品の歩留まりが予測される。また、欠陥不良を及ぼす重要工程が抽出される。
Claim (excerpt):
途中工程のウエハ内の欠陥を検出する欠陥検出手段と、前記欠陥を含む画像の前記欠陥の特徴を検出し、欠陥像を生成する第1の生成手段と、完成したウエハ内の製品特性の良否を測定し、フェイルマップを生成する第2の生成手段と、前記欠陥像と前記フェイルマップを用いて、前記ウエハの製品特性の良否を調査し、歩留まりの予測モデルを構築するモデル構築手段と、前記予測モデルの構築において、特性不良を及ぼす工程を抽出する工程抽出手段とを具備することを特徴とする半導体装置の検査装置。
IPC (3):
H01L 21/66
, G01B 11/30
, G01N 21/956
FI (5):
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 Z
, G01B 11/30 A
, G01N 21/956 A
F-Term (36):
2F065AA49
, 2F065AA56
, 2F065BB02
, 2F065CC19
, 2F065DD03
, 2F065DD04
, 2F065FF41
, 2F065QQ00
, 2F065QQ33
, 2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051CB05
, 2G051EA00
, 2G051EB01
, 2G051EC10
, 2G051ED00
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AA10
, 4M106AA11
, 4M106AA12
, 4M106CA38
, 4M106CA39
, 4M106CA50
, 4M106CA55
, 4M106CA70
, 4M106DB21
, 4M106DH01
, 4M106DJ12
, 4M106DJ14
, 4M106DJ15
, 4M106DJ17
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ21
, 4M106DJ38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-015002
Applicant:株式会社日立製作所
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