Pat

J-GLOBAL ID：200903020741407201

微細線形成方法及び装置

Inventor： 川上 裕二 ,  小澤 英一 ,  吉田 敏伸
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001023462
Publication number (International publication number)：2002231720
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡単且つ安価に汚染のない微細線を形成する方法と装置を提供する。【解決手段】真空中に置かれた金属や絶縁物、半導体などの各種の線用材料9にレーザーを照射して該材料の超微粒子を生成させ、該超微粒子をノズル21から基板18に向けて吹き付けると共に該ノズルと基板に相対的な移動を与えて該基板上に直接に微細線を形成する。超微粒子を生成する真空雰囲気よりも高真空の雰囲気に基板を配置し、超微粒子を搬送管により搬送してその先端に設けたノズルから基板の板面に吹き付ける。

Claim (excerpt)：

真空中に置かれた金属や絶縁物、半導体などの各種の線用材料にレーザーを照射して該材料の超微粒子を生成させ、該超微粒子をノズルから基板に向けて吹き付けると共に該ノズルと基板に相対的な移動を与えて該基板上に直接に微細線を形成することを特徴とする微細線形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285

FI (6)：

C23C 14/04 Z ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/88 B

F-Term (40)：

4K029BA02 ,  4K029BB03 ,  4K029BD02 ,  4K029DA05 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029JA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104EE01 ,  4M104EE14 ,  4M104GG13 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH06 ,  5F033HH19 ,  5F033HH38 ,  5F033PP31 ,  5F033RR01 ,  5F033VV00 ,  5F033VV10 ,  5F033VV12 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX34 ,  5F033XX36 ,  5F033XX37 ,  5F103AA01 ,  5F103AA10 ,  5F103BB12 ,  5F103BB23 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30