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J-GLOBAL ID：200903020748923060

シリコンウエハのエッチング方法

Inventor： 上村賢一 ,  佐近 正 ,  垂永伸二
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 本多 小平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088731
Publication number (International publication number)：1993291238
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ表面のミクロな形状を向上し、ウエハの最エッジ部分のだんもなく、さらにはエッチむらもないエッチング方法を提供する。【構成】 重量%比で弗酸/硝酸の比率が0.4〜1.0,(弗酸+硝酸)/酢酸の比率が、0.8〜3.0,(弗酸+硝酢)/酢酸の比率が0.8〜2.9の組成を有する溶液に、シリコンが0.05〜0.08モル/リットル溶解したエッチング溶液を用い、該エッチングの温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを浸漬して、エッチングすることを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

Claim (excerpt)：

重量%比でHF/HNO3 =0.4〜1.0(HF+HNO3 )/CH3 COOH=0.8〜3.0(HF+HNO3 )/H2 O=0.8〜2.9の組成を有する溶液に、シリコンを0.05〜0.80mol/l溶解したエッチング溶液を用い、該エッチング液の温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを浸漬して、エッチングすることを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-001537
  
• 特開平3-261359
  
• 特開平4-289749