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J-GLOBAL ID：200903020751479545
プラズマ発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025601
Publication number (International publication number)：1993226258
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】 小型で高効率であり、プラズマダメージのないプラズマ発生装置をうること。【構成】 チャンバー1内に対向して配置された複数の面状電極3を設け、これらの電極のうち一つ置きの電極を第1の組とし、他の一つ置きの電極を第2の組としてこれらの第1及び第2の組の電極間に高周波電源8を接続する。これらの電極によって作られる間隙にプロセスガスを導入する。電極は同心円筒状のもので構成することもできる。本発明はこのような構造によって小さな電極で大面積のものが得られるので、高電力で動作しても電極のスパッタ現象は起こらない。またプラズマ発生部分と半導体基板が分離しているので半導体基板へのプラズマダメージがない。
Claim (excerpt)：
必要真空度を保つことのできる真空チャンバー、前記チャンバー内に対向して配置された複数の面状電極、前記電極のうち一つ置きの電極を第1の組とし、他の一つ置きの電極を第2の組として、これら第1の組と第2の組の電極間に接続した高周波電源、及び前記電極によって作られる間隙にプロセスガスを導入する手段、から成ることを特徴としたプラズマ発生装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, B01J 19/08
, H01L 21/02
