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J-GLOBAL ID：200903020759212270

薄膜無機発光ダイオードの製造

Inventor： ヒエロニムス・アンドリーセン
Applicant, Patent owner： アグフア-ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028059
Publication number (International publication number)：2002313568
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 直流の影響下で発光可能な薄膜無機発光ダイオードデバイスの製造のための容易で且つ経済的な方法を提供すること。【解決手段】 ルミネセント中心でドーピングされたZnSのおよびCuxSの分散液を水溶液からの沈澱により一緒にまたは別個に製造する。そのような分散液を伝導性電極間にコーテイングすると、薄膜無機発光ダイオードデバイスが得られる。

Claim (excerpt)：

(1)ルミネセント中心でドーピングされたZnS(n-タイプ半導体)およびCuxS(p-タイプ半導体)を一緒に含んでなるナノ粒子分散液を、各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造するか、或いは(1′)ルミネセント中心でドーピングされたZnS(n-タイプ半導体)の第一の別個のナノ粒子分散液およびCuxS(p-タイプ半導体)の第二の別個のナノ粒子分散液を、両者とも各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造し、(2)(1)に従い製造された分散液または(1′)に従い製造された両分散液を洗浄して、沈澱しなかったイオンを除去し、(3)第一の伝導性電極上に、段階(1)および(2)から生ずる分散液もしくは段階(1′)および(2)から生ずる分散液の混合物を1つの同じ層内で、または段階(1′)および(2)から生ずる別個の分散液を2つの別個の層内でコーテイングし、(4)段階(3)から生ずる1つもしくは複数の該コーテイング層の上部に第二の伝導性電極を適用する段階を含んでなり、但し該第一および第二の電極の少なくとも1つが透明である、薄膜無機発光ダイオードデバイスの製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/20

FI (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 Z ,  H05B 33/20

F-Term (8)：

3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DA01 ,  3K007DB02 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007FA00