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J-GLOBAL ID：200903020766600642

電源変動に高速で追従するRAM

Inventor： 久保埜 昌次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991258869
Publication number (International publication number)：1993101649
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】DRAMタイプのメモリセルのプレートレベルを高速に電源電圧の変動に追従させ、電源電圧変動時の待ち時間を縮める。【構成】DRAMタイプのメモリセルを構成するメモリセルキャパシタの基準レベルとなるプレートに対して、該プレートと電源Vccとの間に寄生容量を付加する。【効果】プレートレベルが電源変動に対して高速に追従するため、データリテンション時の電源変動に対して、時間的制約を少なくでき、多くのシステムに容易に適用できることとなる。

Claim (excerpt)：

DRAMタイプのメモリセルを構成するメモリセルキャパシタの基準レベルとなるプレートに対して、該プレートと電源との間に寄生容量を付加することを特徴とするRAM。