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J-GLOBAL ID：200903020798221694

半導体装置の製造方法

Inventor： 野間 崇
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997019142
Publication number (International publication number)：1998223754
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 コンタクト孔内にコンタクトプラグ材を埋設した際のリセスの低減を図り、上層配線膜のステップカバレッジを改善する。【解決手段】 第1のコンタクト孔3内にバリアメタル膜4を介してアルミニウム膜及びタングステン膜を形成した後、該タングステン膜を全面エッチバックして、第1の層間絶縁膜2上の前記アルミニウム膜の表面のタングステン膜を除去すると共に、コンタクト孔3内にのみタングステン膜6を残膜する。次に、前記タングステン膜6をマスクにして前記バリアメタル膜4上のアルミニウム膜をエッチングした後、第1の配線膜7を形成することで、リセスの低減を図る。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下層の層間絶縁膜を形成した後に該下層の層間絶縁膜の所定領域に下層のコンタクト孔を形成する工程と、前記下層のコンタクト孔を含む全面に密着膜を形成する工程と、前記密着膜上に金属膜を形成する工程と、前記密着膜及び金属膜を介してコンタクトプラグ材を形成した後に該コンタクトプラグ材を全面エッチバックして前記下層のコンタクト孔内にのみコンタクトプラグ材を残膜する工程と、前記金属膜をエッチングした後に全面に下層の配線膜を形成する工程と、前記下層の配線膜上に密着膜を介して上層の層間絶縁膜を形成した後に該上層の層間絶縁膜の前記下層のコンタクト孔の上方に上層のコンタクト孔を形成する工程と、前記上層のコンタクト孔を含む全面に密着膜を介してコンタクトプラグ材を形成した後に該コンタクトプラグ材を全面エッチバックして前記上層のコンタクト孔内にのみコンタクトプラグ材を残膜する工程と、全面に上層の配線膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 J