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J-GLOBAL ID：200903020816265327

半導体集積回路装置

Inventor： 田中 剛 ,  西岡 泰城
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118659
Publication number (International publication number)：1995326670
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置内に形成された多層配線間の配線容量を低減し、該配線間隔をより狭くすることで、高い集積度を保持しつつ、集積回路の高速動作を可能とする。【構成】 微細加工された配線相互間に空隙(4)を生じ得る条件で絶縁膜(3)を配線層の上に堆積させると共に、該配線相互間に低誘電率の空隙を存置させるとした。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成される半導体集積回路を構成する相互配線であって、複数の金属配線と、この金属配線相互間の溝部に位置する低誘電率の空隙と、この空隙及び金属配線の上に堆積させる絶縁膜とを含む半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/12

FI (4)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 V ,  H01L 23/12 N