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J-GLOBAL ID：200903020816597435

Ta2O5および高k誘電体の原子層堆積

Inventor： ジェルパリー ラヴィ ,  アレイン ダバウスト ,  シー-ハン リ ,  ケヴィン ソング ,  ロバート ビー マジュースキ ,  ライアン-ユー チェン ,  ダニエル エー カール
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001347724
Publication number (International publication number)：2002164348
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、高k誘電体の第VB族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。【解決手段】 基板は反応チャンバ内に置かれる。第VB族元素の第1の反応物ガスが反応チャンバへ注入され、そこで、その元素は基板表面上に原子層として化学吸着される。第2の反応物ガスが、反応チャンバへ注入される際に、第1の反応物ガスの原子層上へ流入し、第1の反応物ガスの原子層上に原子層を形成する。このプロセスは、表面に第1の反応物ガスおよび第2の反応物ガスを交番して受けさせ、化合物薄膜が所望厚さに達するまで繰返すことができる。パージガスが、2回の連続する反応物ガス注入の間に反応チャンバ内へ注入され、過剰つまり未反応の反応物ガスをいずれもチャンバからパージする。

Claim (excerpt)：

化学量論比の高k誘電体薄膜を基板の表面上に形成し、成長させる方法であって、前記基板を反応チャンバ内に配置させるステップと、前記基板表面を、タンタルを有し気相状態にある第1の反応物にさらすことによって、前記第1の反応物の単原子層を前記基板表面上に形成するステップと、未反応の第1の反応物を前記チャンバからパージするステップと、前記基板表面を、気相状態にある第2の反応物にさらすことによって、前記第2の反応物の単原子層を前記基板表面上に形成するステップと、未反応の第2の反応物を前記チャンバからパージするステップと、前記形成薄膜が所望の厚さに到達するまで、前記基板表面を、気相状態にある前記第1の反応物と前記第2の反応物の交互に、さらすステップとを有する方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40

F-Term (20)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030LA15 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BB02 ,  5F058BB05 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BF01 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37