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J-GLOBAL ID:200903020817194369

活性汚泥に含まれる硝化細菌又は脱窒細菌の高濃度培養方法、硝化細菌の高濃度培養方法に使用する培養促進剤、及び活性汚泥の減量加工方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 蔦田 璋子 (外1名)
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2000003656
Publication number (International publication number):WO2000077171
Application date: Jun. 05, 2000
Publication date: Dec. 21, 2000
Summary:
【要約】下水汚泥やし尿汚泥等の活性汚泥に含まれる硝化細菌を高濃度に培養する方法であって、活性汚泥を、溶存酸素2〜4mg/リットル、pH7.5〜8.5、温度25〜35°Cの条件下にて、約1〜2ヶ月間、汚泥脱水濾液や消化脱離液等の汚泥処理廃液(アンモニア濃度:100〜300mg/リットル)により硝化馴養するとともに、馴養過程において酸性側に傾くpHを、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムの混合物(モル比で4〜7:4〜8)よりなる培養促進剤の投入によってpH7.5〜8.5の範囲内に常時維持することにより、活性汚泥に含まれる硝化細菌を馴養集積せしめる。これによって、活性汚泥に含まれる硝化細菌を大量に、かつ高濃度に培養する方法を提供することができる。
Claim (excerpt):
下水汚泥やし尿汚泥などの活性汚泥にわずかに含まれる硝化細菌を高濃度に培養する方法であって、 前記活性汚泥を、溶存酸素2mg/リットル以上、pH7.0〜9.0、温度20〜40°Cの条件下において所定期間、NH4-N含有液により硝化馴養するとともに、馴養過程において酸性側に傾くpHを、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムの混合物よりなる培養促進剤の投入によって前記した範囲内に常時維持することにより、前記活性汚泥に含まれる硝化細菌を馴養集積せしめることを特徴とする硝化細菌の高濃度培養方法。
IPC (4):
C12N 1/20 ,  C02F 3/00 ,  C02F 3/34 ZAB ,  C02F 3/34 101
FI (6):
C12N 1/20 A ,  C12N 1/20 D ,  C12N 1/20 F ,  C02F 3/00 G ,  C02F 3/34 ZAB ,  C02F 3/34 101 Z

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