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J-GLOBAL ID:200903020832468335

熱電変換材料とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池条 重信 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999063074
Publication number (International publication number):2000261043
Application date: Mar. 10, 1999
Publication date: Sep. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 Siに種々の添加元素を20原子%以下含有させた新規なSi系熱電変換材料が有する高いゼーベック係数を有し、電気伝導度を損なうことなく、熱伝導率をさらに低下させて高性能化、あるいはさらにゼーベック係数を向上させる。【解決手段】 Siリッチ相の粒界に添加元素のリッチ相を分散させた組織となすことにより、ゼーベック係数が極めて大きくかつ熱伝導率が小さくなり、熱電変換効率を著しく高めることが可能で、資源的に豊富なSiが主体で環境汚染が極めて少ない多結晶Si系熱電変換材料を得る。
Claim (excerpt):
Siに、P型半導体又はN型半導体となすための添加元素を、単独又は複合にて0.001原子%〜20原子%含有し、Siが主体となるSiリッチ相の粒界に前記添加元素のリッチ相が形成された組織を有する熱電変換材料。
IPC (3):
H01L 35/14 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
FI (3):
H01L 35/14 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 熱電変換材料の製造法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-264725   Applicant:出光石油化学株式会社
  • 熱電変換材料の製造法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-008074   Applicant:出光石油化学株式会社

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