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J-GLOBAL ID：200903020834124048

半導体集積回路内部相互配線の検査方法および装置

Inventor： 二川 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993085817
Publication number (International publication number)：1994300824
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路の内部相互配線の欠陥を短時間で非破壊で検出する。【構成】 半導体集積回路チップ1に電圧供給源9で電流を供給した状態で、半導体集積回路チップ1上に細く絞ったレーザ光を走査しながら照射し、変動電流検出/増幅部8で電流変化の大きな箇所を検出する。変動電流検出/増幅部8で電流変化の大きな箇所は熱伝導を阻止する欠陥のある箇所に対応するので、ボイド等の欠陥が検出できる。このような原理によるので欠陥は表面に露出していない場合でも検出できる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の内部相互配線に電流を流した状態で、半導体集積回路にレーザビームを走査しながら照射し、前記内部相互配線に流れる電流の変化を検知することで、前記内部相互配線の欠陥を検出することを特徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査方法。

IPC (2)：

G01R 31/302 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-216548
  
• 特開昭56-086367
  
• 半導体装置の配線評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-232868   Applicant：三菱電機株式会社