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J-GLOBAL ID：200903020842985664
半導体角加速度センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
日比谷 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020419
Publication number (International publication number)：1993180862
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 小型で高精度な角加速度センサを製作する。【構成】 シリコン基板をエッチング処理して形成した枠体部11、錘り部12及び梁部13a、13bを有する一方のシリコン基板と、枠体部11’、錘り部12’及び梁部13a’、13b’を有する他方のシリコン基板とを接合し、接合したシリコン基板の両側にガラス板18、18’を接合してセンシング部を形成する。
Claim (excerpt)：
可動電極として機能する平板状の錘り部と、該錘り部の重心を通る回転軸上にあり、前記錘り部の両側で前記錘り部を回転自在に支持する2つの弾性部材から成る梁部と、該梁部の間で前記回転軸に対し交差する方向に前記錘り部と対向して設けた固定電極と、該固定電極及び前記錘り部の間隔変化に対応する静電容量変化から前記錘り部に加わる角加速度を検出する手段とから成る半導体角加速度センサであって、前記錘り部と前記梁部を2枚の等価なシリコン部材を接合して形成したことを特徴とする半導体角加速度センサ。
IPC (3)：
G01P 15/02
, G01P 15/125
, H01L 29/84
